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发明名称 Method of photolithographically forming narrow transistor gate elements
摘要
申请公布号 EP1482541(A3) 申请公布日期 2005.03.23
申请号 EP20030101571 申请日期 2003.05.29
申请人 TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED 发明人 LAAKSONEN, REIMA T.;JACOBS, JARVIS B.
分类号 G03F7/40;H01L21/033;H01L21/28;H01L21/3065;H01L21/311;H01L21/3213;H01L29/423;H01L29/49;H01L29/78;(IPC1-7):H01L21/321 主分类号 G03F7/40
代理机构 代理人
主权项
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