| 摘要 |
<P>L'INVENTION CONCERNE UN CONTACT ALLIE POUR MATERIAU SEMI-CONDUCTEUR AU GAALAS A CONDUCTION N ET A FORTE TENEUR EN ALUMINIUM. SELON L'INVENTION, ON DEPOSE D'ABORD, SUR LE MATERIAU SEMI-CONDUCTEUR (COUCHE EPITAXIALE 4) UNE PREMIERE COUCHE 5 D'UN METAL DES GROUPES ANNEXES IVB, VB ET VIB DE LA CLASSIFICATION PERIODIQUE. SUR CETTE COUCHE, ON DEPOSE ENSUITE UNE SECONDE COUCHE METALLIQUE 6 CONSTITUEE D'UN ALLIAGE OR-GERMANIUM, PUIS ON PRODUIT L'ALLIAGE DES DEUX COUCHES ENSEMBLE.</P>
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