发明名称 Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung, insbesondere aus Silizium, einer Silizium-Germanium-Legierung oder aus Siliziumkarbid
摘要
申请公布号 DE1264619(B) 申请公布日期 1968.03.28
申请号 DE1965S097677 申请日期 1965.06.18
申请人 SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT 发明人 GUECKEL DIPL.-PHYS. HELMUT
分类号 H01L23/29;H01L29/00 主分类号 H01L23/29
代理机构 代理人
主权项
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