| 发明名称 |
PROCEDE DE FORMATION D'UNE COUCHE MONOCRISTALLINE A PEU DE DEFAUTS SUR UN MASQUE |
| 摘要 |
L'INVENTION CONCERNE UN PROCEDE DE FORMATION D'UNE COUCHE MONOCRISTALLINE SUR UN MASQUE.SELON L'INVENTION, UNE COUCHE FORMANT MASQUE A OUVERTURE 16 EST DISPOSEE SUR UN SUBSTRAT 10 AYANT UNE PARTIE MONOCRISTALLINE A SA SURFACE 12; ESSENTIELLEMENT TOUS LES BORDS 19 DES OUVERTURES 18 DANS LE MASQUE 16 SONT PARALLELES A UNE DIRECTION CRISTALLOGRAPHIQUE PREDETERMINEE; UNE COUCHE MONOCRISTALLINE EST ALORS DEPOSEE DE FACON A CROITRE DANS LES OUVERTURES 18 DU MASQUE 16 ET AU-DESSUS DU MASQUE 16 DANS UNE DIRECTION PERPENDICULAIRE AUX BORDS 19 DES OUVERTURES 18.L'INVENTION S'APPLIQUE NOTAMMENT A L'INDUSTRIE DES SEMI-CONDUCTEURS. |
| 申请公布号 |
FR2522339(A1) |
申请公布日期 |
1983.09.02 |
| 申请号 |
FR19830003160 |
申请日期 |
1983.02.25 |
| 申请人 |
RCA CORP |
发明人 |
JOSEPH THOMAS MCGINN, LUBOMIR LEON JASTRZEBSKI ET JOHN FRANCIS CORBOY JR |
| 分类号 |
H01L27/12;C30B25/18;H01L21/02;H01L21/20;H01L21/263;H01L21/86;(IPC1-7):30B19/00 |
主分类号 |
H01L27/12 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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