发明名称 METHOD OF DETERMINING DEEP IMPURITY CONCENTRATION IN SEMICONDUCTORS
摘要
申请公布号 SU867239(A1) 申请公布日期 1983.07.07
申请号 SU19802930806 申请日期 1980.05.23
申请人 MO G PEDAGOGICHESKIJ I IM.V.I.LENINA 发明人 BANNAYA V.F.,SU;VESELOVA L.I.,SU;GERSHENZON E.M.,SU
分类号 H01L21/66;(IPC1-7):H01L21/66 主分类号 H01L21/66
代理机构 代理人
主权项
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