DOUBLE LAMBDA DIODE MEMORY CELL

摘要

Une cellule de mémoire statique amélioré comprend un premier (51) et un deuxième (53) organes conducteurs pour appliquer des tensions de polarisation respectives à la cellule, un troisième organe conducteur (52) servant à appliquer un signal de tension d'entrée/sortie à la cellule, et une diode Lambda (30) couplée entre le premier et le troisième organe conducteur pour former une résistance dynamique négative chaque fois que le signal de tension d'entrée/sortie est compris dans une gamme prédéterminée entre les tensions de polarisation sur le premier et le deuxième organes conducteurs, l'amélioration étant représentée par un organe de résistance dépendant de la tension (40) couplée entre le deuxième et le troisième organes conducteurs pour former une résistance dynamique négative en réponse à au moins quelques-unes des tensions d'entrée/sortie comprises dans ladite gamme.