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L'invention concerne les semi conducteurs. Il est décrit une structure semiconductrice à conduction bipolaire et à commande de conduction et de blocage par grille isolée. Elle comprend un substrat p<+> (10) constituant un émetteur de transistor bipolaire; une couche épitaxiale N (12) constituant la base; une région p<+> (16) de large surface constituant un collecteur, recouverte par un contact de collecteur et bordée par une région (14) où affleure la couche épitaxiale N; une région de source (24) n<+> incluse dans la région de collecteur et longeant le bord de cette dernière en laissant un intervalle (28); une grille isolée (32) au-dessus de cet intervalle, servant de grille de commande de la structure; une zone résistive (26) d'accès à la source, reliée d'un côté à la source (24) et de l'autre au contact de collecteur (22), la résistance de cette zone étant suffisante pour empêcher une mise en conduction irréversible de la structure.
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