发明名称 MEMOIRE MORTE ELECTRIQUEMENT PROGRAMMABLE
摘要 <P>L'INVENTION CONCERNE UNE MEMOIRE MORTE ELECTRIQUEMENT PROGRAMMABLE.</P><P>DANS UNE MEMOIRE MORTE ELECTRIQUEMENT PROGRAMMABLE COMPORTANT UN ELEMENT DE MEMOIRE REMANENT POSSEDANT UNE ELECTRODE DE GRILLE FLOTTANTE ET UNE ELECTRODE DE GRILLE DE COMMANDE DISPOSEES SUR UN SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR 1, IL EST PREVU UN ELEMENT DE JONCTION PN (N4A, P7A) POSSEDANT UNE JONCTION SIMILAIRE A LA JONCTION DE DRAIN DE L'ELEMENT DE MEMOIRE, LE NIVEAU D'UNE TENSION D'ENREGISTREMENT APPLIQUEE AU DRAIN DE L'ELEMENT DE MEMOIRE REMANENT ETANT DETERMINE SUR LA BASE DE LA TENSION DE CLAQUAGE DUDIT ELEMENT DE JONCTION PN.</P><P>APPLICATION NOTAMMENT AUX MEMOIRES EPROM A ELEMENTS DE MEMOIRE REMANENTS A HAUT RENDEMENT D'ENREGISTREMENT.</P>
申请公布号 FR2506495(A1) 申请公布日期 1982.11.26
申请号 FR19820001791 申请日期 1982.02.04
申请人 HITACHI LTD 发明人 MINORU FUKUDA, SHIGERU YAMATANI, KOTARO NISHIMURA ET AKIRA ENDO;YAMATANI SHIGERU;NISHIMURA KOTARO;ENDO AKIRA
分类号 H01L27/112;G11C16/06;G11C16/08;G11C16/10;G11C16/12;G11C16/26;G11C17/00;H01L21/8246;H01L21/8247;H01L29/788;H01L29/792;(IPC1-7):G11C17/00 主分类号 H01L27/112
代理机构 代理人
主权项
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