发明名称 |
MEMOIRE MORTE ELECTRIQUEMENT PROGRAMMABLE |
摘要 |
<P>L'INVENTION CONCERNE UNE MEMOIRE MORTE ELECTRIQUEMENT PROGRAMMABLE.</P><P>DANS UNE MEMOIRE MORTE ELECTRIQUEMENT PROGRAMMABLE COMPORTANT UN ELEMENT DE MEMOIRE REMANENT POSSEDANT UNE ELECTRODE DE GRILLE FLOTTANTE ET UNE ELECTRODE DE GRILLE DE COMMANDE DISPOSEES SUR UN SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR 1, IL EST PREVU UN ELEMENT DE JONCTION PN (N4A, P7A) POSSEDANT UNE JONCTION SIMILAIRE A LA JONCTION DE DRAIN DE L'ELEMENT DE MEMOIRE, LE NIVEAU D'UNE TENSION D'ENREGISTREMENT APPLIQUEE AU DRAIN DE L'ELEMENT DE MEMOIRE REMANENT ETANT DETERMINE SUR LA BASE DE LA TENSION DE CLAQUAGE DUDIT ELEMENT DE JONCTION PN.</P><P>APPLICATION NOTAMMENT AUX MEMOIRES EPROM A ELEMENTS DE MEMOIRE REMANENTS A HAUT RENDEMENT D'ENREGISTREMENT.</P>
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申请公布号 |
FR2506495(A1) |
申请公布日期 |
1982.11.26 |
申请号 |
FR19820001791 |
申请日期 |
1982.02.04 |
申请人 |
HITACHI LTD |
发明人 |
MINORU FUKUDA, SHIGERU YAMATANI, KOTARO NISHIMURA ET AKIRA ENDO;YAMATANI SHIGERU;NISHIMURA KOTARO;ENDO AKIRA |
分类号 |
H01L27/112;G11C16/06;G11C16/08;G11C16/10;G11C16/12;G11C16/26;G11C17/00;H01L21/8246;H01L21/8247;H01L29/788;H01L29/792;(IPC1-7):G11C17/00 |
主分类号 |
H01L27/112 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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