摘要 |
<p>CELULA DE MEMORIA CON RED DE REGENERACION AUTOMATICA. ESTA FORMADA POR UN CAPACITOR MOS (CS) QUE ALMACENA LA INFORMACION; POR UNA SERIE DE TRANSISTORES MOS (T1, T2, T3) Y POR UN CONDENSADOR (CL). PARA REALIZAR LA ESCRITURA DE INFORMACION SE APLICA UN IMPULSO NEGATICO EN UNA LINEA DE BITIOS (B) Y UN IMPULSO POSITIVO EN UNA LINEA DE PALABRAS (W), MIENTRAS QUE PARA REALIZAR LA LECTURA SE MANTIENE LA LINEA DE BITIOS A TENSION POSITIVA Y SE APLICA EN LA DE PALABRAS UN IMPULSO POSITIVO. POR MEDIO DE DOS TRANSISTORES (T2, T3), DEL CONDENSADOR Y DE UNA TERCERA LINEA (L) SE CONECTA A UNA FUENTE DE CORRIENTE ALTERNA (13)</p> |