发明名称 Read-only storage using enhancement-mode, depletion-mode or omitted gate field-effect transistors
摘要 Read-only storage chip stores three levels per single-FET cell by providing each cell with an enhancement gate, a depletion gate or no gate connection. Level decoders convert pairs of these three-level signals to triplets of two-level data signals for binary output from the ROS.
申请公布号 US4327424(A) 申请公布日期 1982.04.27
申请号 US19800169542 申请日期 1980.07.17
申请人 INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION 发明人 WU, PHILIP T.
分类号 G11C17/00;G11C11/56;G11C16/04;G11C17/12;G11C17/18;(IPC1-7):G11C17/00;G11C11/40 主分类号 G11C17/00
代理机构 代理人
主权项
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