STRUCTURES ET MATERIAUX SEMI-CONDUCTEURS HAUTE TENSION ET PROCEDE POUR LES PREPARER

摘要

STRUCTURES ET MATERIAUX SEMI-CONDUCTEURS HAUTE TENSION ET PROCEDE POUR LES PREPARER.

UNE BOULE 10 DE SILICIUM MONOCRISTALLIN EST PLACEE DANS LA CHAMBRE A VIDE 12 D'UN APPAREIL A ZONE FLOTTANTE DANS LAQUELLE EST ETABLI UN VIDE D'AU MOINS 10 TORRS. UNE BOBINE RADIOFREQUENCE 14 EST DEPLACEE A LA VITESSE F LE LONG DE LA BOULE. LA PUISSANCE HAUTE FREQUENCE EST TELLE QUE LA BOULE EST FONDUE SUR UNE PROFONDEUR D INFERIEURE A SON DIAMETRE. LES ATOMES DOPANTS DE LA PARTIE FONDUE DIFFUSENT A LA SURFACE DU BAIN ET S'EVAPORENT, PERMETTANT DE CE FAIT LA RESOLIDIFICATION D'UNE GAINE MONOCRISTALLINE A RESISTIVITE RELATIVEMENT ELEVEE, SUR TOUTE LA LONGUEUR DE LA BOULE. LES PASTILLES DECOUPEES DANS LA BOULE PEUVENT ETRE UTILISEES POUR LA FABRICATION DE DISPOSITIFS A SEMICONDUCTEURS AVEC UN BORD A HAUTE RESISTIVITE, CES DISPOSITIFS PRESENTANT UNE TENSION ELEVEE DE RUPTURE.

APPLICATIONS: NOTAMMENT A LA FABRICATION DE DISPOSITIFS A SEMI-CONDUCTEURS DU TYPE PLANAR.