| 主权项 |
1.一种电磁干扰抑制体,其特征在于,具有:基体、 与复合层;该基体含黏合剂,该复合层系于该基体 表面将磁性体以粒子能5~1000eV物理性蒸镀而形成, 藉此具有使该磁性体以奈米级或原子状态分散于 基体中一部份的黏合剂中而一体化之异质构造。 2.如申请专利范围第1项之电磁干扰抑制体,其中之 该复合层,系将磁性体以物理性蒸镀于该基体表面 所形成之层。 3.如申请专利范围第1项之电磁干扰抑制体,其复合 层每单位厚度之电磁最大透过衰减量系-0.5~-500dB/ m。 4.如申请专利范围第3项之电磁干扰抑制体,其电磁 最大透过衰减量系-10~-50dB。 5.如申请专利范围第3项之电磁干扰抑制体,于显示 电磁最大透过衰减量之频率,其最大反射衰减量系 -6~-50dB。 6.如申请专利范围第1项之电磁干扰抑制体,其于1 GHz之功率损耗値系0.3 ~0.65。 7.如申请专利范围第1项之电磁干扰抑制体,其中, 该复合层之厚度系0.005 ~20m。 8.如申请专利范围第1项之电磁干扰抑制体,其中, 该复合层之厚度系0.005 ~3m。 9.如申请专利范围第1项之电磁干扰抑制体,其中, 该复合层之厚度系0.005 ~1m。 10.如申请专利范围第1项之电磁干扰抑制体,其中, 该复合层之厚度系0.005 ~0.3m。 11.如申请专利范围第1项之电磁干扰抑制体,其比 重系0.9~1.5。 12.一种电磁干扰抑制体,其特征为:系将申请专利 范围第1项之电磁干扰抑制体复数积层所制成者。 13.如申请专利范围第1项之电磁干扰抑制体,其中, 该黏合剂系树脂或橡胶。 14.如申请专利范围第2项之电磁干扰抑制体,其中, 该黏合剂系硬化性树脂。 15.如申请专利范围第2项之电磁干扰抑制体,其中, 该黏合剂之剪切弹性模数为1104~11010Pa。 16.如申请专利范围第2项之电磁干扰抑制体,其中, 该黏合剂之剪切弹性模数为1104~5107Pa。 17.如申请专利范围第1项之电磁干扰抑制体,其系 具有热传导层,该热传导层含有热传导性填充剂。 18.如申请专利范围第1项之电磁干扰抑制体,其系 具有支持体层。 19.如申请专利范围第1项之电磁干扰抑制体,其中, 该基体系含有非卤素系且非锑系之难燃剂。 20.如申请专利范围第1项之电磁干扰抑制体,其系 具有难燃性树脂层。 21.如申请专利范围第1项之电磁干扰抑制体,其中, 该基体系含有导电性填充剂。 22.如申请专利范围第21项之电磁干扰抑制体,其中, 该导电性填充剂系择自金属粉、金属纤维、金属 被覆微粒子、碳微粒子、及碳奈米管所构成群中 至少1种之导电性微粉末。 23.如申请专利范围第1项之电磁干扰抑制体,其系 具有导电体层。 24.如申请专利范围第23项之电磁干扰抑制体,其中, 该导电体层系择自金属箔、金属纤维布、导电纤 维布、金属线编织物、导电纤维编织物、分散有 导电性填充剂之有机高分子层、及导电性膜中至 少1种。 25.如申请专利范围第24项之电磁干扰抑制体,其中, 该导电性膜,系由支持膜与厚度5~500nm之金属层所 构成,该金属层系以物理性蒸镀至该支持膜。 26.如申请专利范围第25项之电磁干扰抑制体,其中, 该金属层系藉由对向靶型磁控管溅镀法所形成者 。 27.如申请专利范围第1项之电磁干扰抑制体,其中, 该基体系含有介电体粉末。 28.如申请专利范围第27项之电磁干扰抑制体,其中, 该介电体粉末系择自钛酸钡系陶瓷、钛酸锆酸系 陶瓷及铅钙钛矿系陶瓷所构成群中至少1种。 29.一种电磁干扰抑制体之制造方法,其特征在于, 具有于基体表面形成复合层之蒸镀步骤,其系将磁 性体以粒子能5~1000eV物理性蒸镀于含黏合剂的基 体表面,以于该基体表面形成具有异质构造之复合 层,其系使该磁性体以奈米级或原子状态分散于基 体中一部份的黏合剂中而一体化所形成。 30.如申请专利范围第29项之电磁干扰抑制体之制 造方法,其系藉由对向靶型磁控管溅镀法将磁性体 物理性蒸镀于含黏合剂之基体表面。 31.如申请专利范围第29项之电磁干扰抑制体之制 造方法,其系将磁性体以粒子能5~1000eV物理性蒸镀 于含黏合剂之基体表面。 32.如申请专利范围第29项之电磁干扰抑制体之制 造方法,其中,该磁性体之蒸镀质量,以磁性体单独 之膜厚换算値计为0.5~200nm。 33.一种电磁干扰抑制体之制造方法,其特征在于, 系具有:于含黏合剂的基体上积层其他层以制造积 层体之积层体制造步骤;与 蒸镀步骤,系使磁性体粒子能5~ 1000eV物理性蒸镀于 基体表面,以于基体表面形成具有异质构造之复合 层,其系使该磁性体以奈米级或原子状态分散于基 体中一部份的黏合剂中而一体化所形成。 34.一种具备电磁干扰抑制功能之物品,其特征在于 ,物品表面之至少一部份系以申请专利范围第1项 之电磁干扰抑制体被覆。 35.如申请专利范围第34项之具备电磁干扰抑制功 能之物品,该物品系电子元件。 36.如申请专利范围第34项之具备电磁干扰抑制功 能之物品,该物品系搭载有电子元件之印刷配线板 。 37.如申请专利范围第36项之具备电磁干扰抑制功 能之物品,其中,该印刷配线板系可挠性印刷配线 板。 38.如申请专利范围第34项之具备电磁干扰抑制功 能之物品,该物品系电气连接器。 39.如申请专利范围第38项之具备电磁干扰抑制功 能之物品,该电气连接器系可挠性连接器。 40.如申请专利范围第34项之具备电磁干扰抑制功 能之物品,该物品系扁型配线。 41.如申请专利范围第34项之具备电磁干扰抑制功 能之物品,该物品系按钮开关用按键元件。 42.如申请专利范围第34项之具备电磁干扰抑制功 能之物品,该物品系预成型用插入片。 43.如申请专利范围第34项之具备电磁干扰抑制功 能之物品,该物品系半导体积体电路。 44.一种具备电磁干扰抑制功能之物品之制造方法, 其特征在于,系具有: 使物品表面之至少一部份以含黏合剂之基体进行 被覆之被覆步骤,以及 蒸镀步骤,系使磁性体以粒子能5~1000eV物理性蒸镀 于基体表面,以在基体表面形成具有异质构造之复 合层,其系使该磁性体以奈米级或原子状态分散于 基体中一部份的黏合剂中而一体化所形成。 图式简单说明: 图1,系本发明之电磁干扰抑制体中复合层之高解 析度穿过型电子显微镜影像。 图2,系显示复合层附近之一例之示意图。 图3,系物理性蒸镀磁性体后基体截面状态之SEM影 像。 图4,系物理性蒸镀磁性体后基体表面状态之雷射 显微影像(俯视图,一边为73.5m)。 图5,系将物理性蒸镀磁性体后基体之截面状态进 行测定之雷射显微影像。 图6,系物理性蒸镀磁性体前基体表面状态之雷射 显微影像(俯视图,一边为73.5m)。 图7,系将物理性蒸镀磁性体前基体之截面状态进 行测定之雷射显微影像。 图8,系显示本发明电磁干扰抑制体之一例的概略 截面图。 图9,系显示本发明电磁干扰抑制体之其他例的概 略截面图。 图10,系显示本发明电磁干扰抑制体之其他例的概 略截面图。 图11,系显示本发明电磁干扰抑制体之其他例的概 略截面图。 图12,系显示本发明电磁干扰抑制体之其他例的概 略截面图。 图13,系显示本发明电磁干扰抑制体之其他例的概 略截面图。 图14,系显示本发明电磁干扰抑制体之其他例的概 略截面图。 图15,系显示本发明电磁干扰抑制体之其他例的概 略截面图。 图16,系显示本发明电磁干扰抑制体之其他例的概 略截面图。 图17,系本发明之具备电磁干扰抑制功能物品之一 例的相机模组俯视图。 图18,系本发明之具备电磁干扰抑制功能物品之一 例的相机模组截面图。 图19,系为搭载有本发明之具备电磁干扰抑制功能 物品之一例的电子元件之印刷线路板截面图。 图20,系显示电磁干扰抑制特性之测定装置概略图 。 图21,系显示以入射电磁波量为基准(0),实施例5于 频率范围0.05 ~3GHz之电磁干扰抑制体的透过衰减量 与反射衰减量曲线图。 图22,系显示以入射电磁波量为基准(0),实施例6于 频率范围0.05 ~3GHz之电磁干扰抑制体的透过衰减量 与反射衰减量曲线图。 图23,系显示以入射电磁波量为基准(0),实施例7于 频率范围0.05 ~3GHz之电磁干扰抑制体的透过衰减量 与反射衰减量曲线图。 图24,系显示以入射电磁波量为基准(0),比较例2于 频率范围0.05 ~3GHz之电磁干扰抑制体的透过衰减量 与反射衰减量曲线图。 图25,系显示以入射电磁波量为基准(0),比较例3于 频率范围0.05 ~3GHz之电磁干扰抑制体的透过衰减量 与反射衰减量曲线图。 图26,系显示以入射电磁波量为基准(0),比较例4于 频率范围0.05 ~3GHz之电磁干扰抑制体的透过衰减量 与反射衰减量曲线图。 图27,系显示实施例8于频率范围0.05~3GHz之电磁干扰 抑制体之功率损耗特性曲线图。 图28,系显示实施例9于频率范围0.05~3GHz之电磁干扰 抑制体之功率损耗特性曲线图。 图29,系显示实施例10于频率范围0.05~3GHz之电磁干 扰抑制体之功率损耗特性曲线图。 图30,系显示比较例5于频率范围0.05~3GHz之电磁干扰 抑制体之功率损耗特性曲线图。 图31,系显示比较例6于频率范围0.05~3GHz之电磁干扰 抑制体之功率损耗特性曲线图。 图32,系显示比较例7于频率范围0.05~3GHz之电磁干扰 抑制体之功率损耗特性曲线图。 图33,系显示实施例17之电磁干扰抑制体其传导杂 讯之反射衰减量之频率特性曲线图。 图34,系显示实施例17之电磁干扰抑制体其传导杂 讯之功率损耗値之频率特性曲线图。 图35,系显示实施例18之电磁干扰抑制体其传导杂 讯之反射衰减量之频率特性曲线图。 图36,系显示实施例18之电磁干扰抑制体其传导杂 讯之功率损耗値之频率特性曲线图。 图37,系显示实施例19之电磁干扰抑制体其传导杂 讯之反射衰减量之频率特性曲线图。 图38,系显示实施例19之电磁干扰抑制体其传导杂 讯之功率损耗値之频率特性曲线图。 图39,系显示实施例20之电磁干扰抑制体其传导杂 讯之频率特性曲线图。 图40,系显示实施例20之电磁干扰抑制体其功率损 耗値之频率特性曲线图。 图41,系显示比较例11之传导杂讯之反射衰减量之 频率特性曲线图。 图42,系显示比较例11之传导杂讯之功率损耗値之 频率特性曲线图。 图43,系显示将实施例17、18、19、20及比较例11、12 之电磁干扰抑制体以微环路法测定之发射干扰之 内部去耦合率程度之曲线图。 图44,系显示将实施例17、18、19、20及比较例11、12 之电磁干扰抑制体以微环路法测定之发射干扰之 相互去耦合率程度之曲线图。 |
