发明名称 |
Method of making a thin film capacitor. |
摘要 |
<p>Auf einem geeigneten Substrat wird ein als einer der Kondensatorbeläge vorgesehener Metallfilm aufgetragen. Das so mit dem Metallbelag versehene Substrat wird dann einer Ionen-Implantation von O<+>- oder N<+>-Ionen ausgesetzt, so daß der Oberflächenbereich des Metallbelags mit O<+>- bzw. N<+>-Ionen gesättigt wird. Anschließend wird dann der sich so ergebende Schichtaufbau aufgeheizt, um die erhaltene Oxid- bzw. Nitridstruktur zu stabilisieren, so das sich ein dielektrischer Ultra-Dünnfilm ergibt, der anschließend dann noch mit einem Gegenbelag als weiterer Kondensatorbelag überzogen wird.</p> |
申请公布号 |
EP0027885(A1) |
申请公布日期 |
1981.05.06 |
申请号 |
EP19800105497 |
申请日期 |
1980.09.15 |
申请人 |
INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION |
发明人 |
BHATTACHARYYA, ARUP;CHU, WEI-KAN;HOWARD, JAMES KENT;WIEDMANN, FRANCIS WALTER |
分类号 |
H01G4/33;H01G4/10;(IPC1-7):01G4/10 |
主分类号 |
H01G4/33 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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