发明名称 Method of making a thin film capacitor.
摘要 <p>Auf einem geeigneten Substrat wird ein als einer der Kondensatorbeläge vorgesehener Metallfilm aufgetragen. Das so mit dem Metallbelag versehene Substrat wird dann einer Ionen-Implantation von O&lt;+&gt;- oder N&lt;+&gt;-Ionen ausgesetzt, so daß der Oberflächenbereich des Metallbelags mit O&lt;+&gt;- bzw. N&lt;+&gt;-Ionen gesättigt wird. Anschließend wird dann der sich so ergebende Schichtaufbau aufgeheizt, um die erhaltene Oxid- bzw. Nitridstruktur zu stabilisieren, so das sich ein dielektrischer Ultra-Dünnfilm ergibt, der anschließend dann noch mit einem Gegenbelag als weiterer Kondensatorbelag überzogen wird.</p>
申请公布号 EP0027885(A1) 申请公布日期 1981.05.06
申请号 EP19800105497 申请日期 1980.09.15
申请人 INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION 发明人 BHATTACHARYYA, ARUP;CHU, WEI-KAN;HOWARD, JAMES KENT;WIEDMANN, FRANCIS WALTER
分类号 H01G4/33;H01G4/10;(IPC1-7):01G4/10 主分类号 H01G4/33
代理机构 代理人
主权项
地址
您可能感兴趣的专利