| 摘要 |
<p>본 발명은 반도체의 건식각 공정용 가스 공급 장치에 관한 것으로서, 본 발명은 반도체의 건식각 공정을 위해 챔버(51) 측으로 가스를 공급하는 가스공급수단과, 상기 가스공급수단으로부터 가스를 제공받아 상기 챔버(51)의 내부로 가스를 공급하는 배플플레이트(67)를 포함하고; 상기 가스공급수단은 배플플레이트(67)의 중심부로 가스를 공급하는 제 1 가스공급관(53)과, 상기 배플플레이트(67)의 가장자리부로 가스를 공급하는 제 2 가스공급관(55)으로 구성되며; 상기 배플플레이트(67)의 하면에는 배플플레이트(67) 내부의 가스를 챔버(51)로 분사시키기 위한 다수의 배플구멍(67a)이 형성됨으로써 챔버(51) 내부의 가스 분포 상태가 균일해지도록 가스를 공급할 수 있게 되므로 챔버(51) 내에 형성되는 플라즈마 밀도가 균일해져 웨이퍼(W')의 식각 상태가 전면에 걸쳐 고르게 되고, 이에 따라 식각 불균일로 인한 웨이퍼(W') 가장자리의 미식각 현상이 제거되어 반도체의 수율 및 신뢰성이 향상되도록 한 것이다.</p> |
