发明名称 |
PROCEDE ET DISPOSITIF D'ELABORATION DE SILICIUM POLYCRISTALLIN |
摘要 |
L'invention concerne un procédé et un dispositif d'élaboration de silicium polycristallin. Le procédé consiste notamment à purifier un bain en fusion de silicium contenant des impuretés par barbotage d'un mélange de chlore et d'oxygène et de cristalliser progressivement le silicium purifié dans un récipient 22 déplacé verticalement vers le bas dans un gradient vertical de températures croissantes vers le haut. Application à la réalisation de photopiles solaires. |
申请公布号 |
FR2430917(A1) |
申请公布日期 |
1980.02.08 |
申请号 |
FR19780020660 |
申请日期 |
1978.07.11 |
申请人 |
CIE GENERALE D ELECTRICITE |
发明人 |
JACQUES FALLY |
分类号 |
C01B33/02;C01B33/037;C30B11/00;H01L31/04;(IPC1-7):01B33/02;01L31/18;01J17/40 |
主分类号 |
C01B33/02 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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