| 主权项 |
1.一种半导体装置,含有由至少一个N-通道MOS电晶体组成之内部电路与由至少一个N-通道MOS电晶体组成之周边电路,其改进包含:该N-通道MOS电晶体之泄电极扩散层出神与磷组成而且该周边电路之中之该N-通道电晶体之磷浓度较高于该内部电路中之该N-通道电晶体之磷浓度,且各该内部电路与让周边电路中之该N-通道电晶体之泄电极扩散层具有由神与磷组成之双重扩散结构,且该周边电路中之该N-通道电晶体之通道长度较大于该内部电路中之该N-通道电晶体之通道长度。2.如中请专利范围第1项之半导体装置,其中,各该内部电路与该周边电路中之该N- 通道电晶体之泄电极扩散层具有由砷与磷组成之LDD结构。3.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中,该内部电路中之该N-通道电晶体系藉由不多于Iel4cm-2剂量之磷离子掺杂与不少于2El5cm-2剂量之砷离子掺杂予以形成该双重扩散结构,而且,该局边电路中之该N-通道电晶体系藉由多于lEl4cm-2剂量之磷离子掺杂与不少于2El5cm-2剂量之砷离子掺离子以形成该双重扩散结构。4.如申请专利范围第1或2项之半导体装置,其中,该内部电路中之该N-通道电晶体系藉由不多于2E13cm2-,剂量之磷离子掺杂与不少于2El5cm-2剂量之砷离子掺杂予以形成该LDD结构,而且,该周边电路中之该N-通道电晶体系藉由多于2E13CM-2剂量之磷离子掺杂与不少于2El5CM-2剂量之砷离子掺杂予以形成该LDD结构。图示简单说明:图l为本发明之实施例之主要部分之断面图;图2显示采用双重扩散结构之场合之磷植入量、由热载子引起之劣化与静电耐压之间之关系;图3为本发明之另一个实施例之主要部分之断面图; 而图4显示采用LDD结构之场合之磷植入量、由热载子引起之劣化与静电耐压之间之关系。 |
