| 发明名称 |
PROCEDE DE FABRICATION DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS |
| 摘要 |
<P>La présente invention concerne un procédé de fabrication de dispositifs semi-conducteurs. </P><P>Un semi-conducteur 2 contenant un semi-conducteur composé à base d'arsenic est traité dans une atmosphère contenant une vapeur d'oxyde d'arsenic, pour empêcher l'évaporation du trioxyde d'arsenic dans le film d'oxydation thermique 7 au cours du traitement thermique. On forme ainsi un film d'oxyde thermique ayant une bonne stabilité chimique et de bonnes caractéristiques électrique. </P><P>Application à la fabrication des transistors à effet de champ de type MOS.</P>
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| 申请公布号 |
FR2397718(A1) |
申请公布日期 |
1979.02.09 |
| 申请号 |
FR19780020897 |
申请日期 |
1978.07.12 |
| 申请人 |
MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL |
发明人 |
HIROMITSU TAKAGI, GOTA KANO ET IWAO TERAMOTO;KANO GOTA;TERAMOTO IWAO |
| 分类号 |
H01L21/3105;H01L21/324;(IPC1-7):H01L21/31;H01L29/78 |
主分类号 |
H01L21/3105 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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