| 发明名称 |
PREPARATION OF SEMICONDUCTOR CRYSTAL BY FLOATING ZONE METHOD |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPS542280(A) |
申请公布日期 |
1979.01.09 |
| 申请号 |
JP19770066773 |
申请日期 |
1977.06.08 |
| 申请人 |
MITSUBISHI METAL CORP;TOYO SHIRIKON KK |
发明人 |
EGARASHI HISASHI;OKADA SUSUMU |
| 分类号 |
H05B6/30;C30B13/20;H01L21/208 |
主分类号 |
H05B6/30 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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