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发明名称 SEMICONDUCTOR DEVICE
摘要 PURPOSE:To obtain the element of high performance, by surrounding the base of the longitudinal NPN transistor with insulating layer, and by restricting the junction area with the collector, in I<2>L.
申请公布号 JPS5382184(A) 申请公布日期 1978.07.20
申请号 JP19760158692 申请日期 1976.12.27
申请人 FUJITSU LTD 发明人 FUNATSU TSUNEO
分类号 H01L21/8226;H01L21/331;H01L27/02;H01L27/082;H01L29/73 主分类号 H01L21/8226
代理机构 代理人
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