首页
产品
黄页
商标
征信
会员服务
注册
登录
全部
|
企业名
|
法人/股东/高管
|
品牌/产品
|
地址
|
经营范围
发明名称
ULTRASONIC FLAW DETECTOR
摘要
申请公布号
SU602848(A1)
申请公布日期
1978.04.15
申请号
SU19741996422
申请日期
1974.02.15
申请人
SHOKOV ROSTISLAV ,SU;KUKUSHKIN VIKTOR P,SU;TARASOV MIKHAIL G,SU;IVANOV ALEKSANDR ,SU
发明人
SHOKOV ROSTISLAV ,SU;KUKUSHKIN VIKTOR P,SU;TARASOV MIKHAIL G,SU;IVANOV ALEKSANDR ,SU
分类号
G01N29/04;G01N29/36;(IPC1-7):G01N29/04
主分类号
G01N29/04
代理机构
代理人
主权项
地址
您可能感兴趣的专利
积体电路及其制造方法与操作方法;INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD FOR MANUFACTURING AND OPERATING THE SAME
半导体微量分析晶片及其制造的方法;SEMICONDUCTOR MICRO-ANALYSIS CHIP AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
积体电路的电容;CAPACITOR IN INTEGRATED CIRCUIT
具有独立尺寸元件之记忆体单元;MEMORY CELL WITH INDEPENDENTLY-SIZED ELEMENTS
沉积－蚀刻－沉积制程中的表面处理;SURFACE TREATMENT IN A DEP-ETCH-DEP PROCESS
用于包装基板收纳容器的包装结构体
测量基底温度用的温度探针、组合件以及支撑基底用的压板;TEMPERATURE PROBE , ASSEMBLY FOR MEASURING TEMPERATURE OF SUBSTRATE, AND PLATEN FOR SUPPORTING SUBSTRATE
识别引导式自我组装线之配准误差;IDENTIFING REGISTRATION ERRORS OF DSA LINES
半导体元件及其制造方法;SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
用于后段制程金属化之混合型锰和氮化锰阻障物及其制造方法;HYBRID MANGANESE AND MANGANESE NITRIDE BARRIERS FOR BACK-END-OF-LINE METALLIZATION AND METHODS FOR FABRICATING THE SAME
混合式特征部蚀刻及斜角蚀刻系统;HYBRID FEATURE ETCHING AND BEVEL ETCHING SYSTEMS
晶圆之加工方法
半导体晶圆之硏磨方法及硏磨装置
晶圆的硏磨方法
一种除胶装置及其除胶方法;SURFACE GLUE CLEANING DEVICE AND OPERATING METHOD THEREOF
使用热布植与奈秒退火致使铟铝镓氮化物材料系统中掺杂剂的高活化;ENABLING HIGH ACTIVATION OF DOPANTS IN INDIUM-ALUMINUM-GALIUM-NITRIDE MATERIAL SYSTEM USING HOT IMPLANTATION AND NANOSECOND ANNEALING
具有同轴和方位角对称和具有一致触发的多区中空阴极放电系统;MULTIZONE HOLLOW CATHODE DISCHARGE SYSTEM WITH COAXIAL AND AZIMUTHAL SYMMETRY AND WITH CONSISTENT CENTRAL TRIGGER
离子硏磨装置、以及使用离子硏磨装置之加工方法
旋转式电子零件;ROTARY TYPE ELECTRICAL PART
按钮组合;BUTTON ASSEMBLY
