| 摘要 |
<P>Elément photoélectrique pour dispositif de captation d'image semi-conducteur qui comprend une série de tels éléments, comportant chacun un ou plusieurs transistors à effet de champ MOS de commutation, répartis en ensemble unidimensionnel ou bidimensionnel sur un substrat semi-conducteur et excités en séquence temporelle par des circuits d'analyse </P><P>Une électrode transparente ou semi-transparente 18 recouvre, avec interposition d'une pellicule d'oxyde isolante 17, une région de détection lumineuse dudit transistor, de façon à former entre l'électrode et le substrat une capacité Cox dans laquelle les charges engendrées sous l'électrode par photo-excitation sont emmagasinees avant d'être transmises à un conducteur de sortie de signal reliant en commun les drains 15 des transistors. </P><P>Un tel élément a une bonne capacité d'emmagasinage pour un encombrement réduit.</P>
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