| 发明名称 |
DISPOSITIF A CHARGES COUPLEES A DEUX PHASES |
| 摘要 |
<P>Dispositif à charges couplées à deux phases. </P><P>La présente invention prévoit la fabrication d'un dispositif à charges couplées comportant dans le corps d'un substrat silicium monocristallin 1 de type P des régions présentant des concentrations différentes P et P**+ avec des électrodes de phases superposées 11A et 23 de telle sorte qu'un espacement très faible existe entre lesdites électrodes et entre lesdites régions. </P><P>Application à la fabrication des dispositifs à semi-conducteurs de type CCD et en particulier aux dispositifs de visualisation d'images.</P>
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| 申请公布号 |
FR2357035(A1) |
申请公布日期 |
1978.01.27 |
| 申请号 |
FR19770017614 |
申请日期 |
1977.06.02 |
| 申请人 |
IBM |
发明人 |
CHAKRAPANI G. JAMBOTKAR |
| 分类号 |
H01L29/762;G11C19/28;H01L21/339;H01L27/148;H01L29/10;H01L29/768;(IPC1-7):G11C11/34 |
主分类号 |
H01L29/762 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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