| 摘要 |
<P>L'invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur comprenant les étapes de former une source de premières impuretés d'un type déterminant une conductivité sur deux surfaces majeures et opposées d'une pastille semi-conductrice, la pastille contenant des impuretés déterminant des conductivités de type opposé </P><P>Selon l'invention on forme sélectivement une source de secondes impuretés du type déterminant une première conductivité sur des parties présélectionnées 22 des surfaces 14 et 16, les secondes impuretés ayant une diffusivité dans la pastille 12, comparativement plus élevée que les premières impuretés; et on chauffe la pastille 12 à une température à laquelle les premières et secondes impuretés pénètrent dans la pastille 12 pendant un temps suffisamment long pour que les secondes impuretés forment des premières régions continues entre les deux surfaces opposées 14 et 16. </P><P>L'invention s'applique notamment à la production de thyristors.</P>
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