发明名称 用卤代硅烷处理基材的方法
摘要 本发明涉及一种用于处理基材使其具有疏水性的方法,所述方法包括用卤代硅烷蒸气对所述基材进行渗透。
申请公布号 CN103328717B 申请公布日期 2016.07.06
申请号 CN201280005739.0 申请日期 2012.01.05
申请人 派特拉国际控股有限责任公司 发明人 L·库克
分类号 D06M13/51(2006.01)I;D06M13/513(2006.01)I;D06M13/517(2006.01)I;D06M15/643(2006.01)I;D06M15/657(2006.01)I;D21H17/13(2006.01)I;D21H17/59(2006.01)I;D21H21/16(2006.01)I 主分类号 D06M13/51(2006.01)I
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人 张钦
主权项 一种用于使基材具有疏水性的方法,所述方法包括:提供进料可处理的基材的进料辊;将所述可处理的基材的一部分从所述进料辊移动通过第一区隔离壁和至惰性区,其中引入第一惰性气体以在所述惰性区中形成正压;随着从所述进料辊移动可处理的基材,基本上同时地将可处理的基材的一部分从所述惰性区移动通过第二区隔离壁和至处理区,所述处理区与所述惰性区被该第二区隔离壁分开;I)将所述可处理的基材在所述处理区中暴露于蒸气湍流,蒸气中卤代硅烷的浓度为至少90%,使得所述蒸气渗透所述基材,并且形成经处理的基材和包括HCl的副产物,其中所述蒸气的温度在所述处理区中维持在所述卤代硅烷的冷凝温度以上,II)将所述经处理的基材移动通过第三区隔离壁和至连接到至少一个排气区出口的排气区中,其中将第二惰性气体引入所述排气区中以在所述排气区中形成正压,并且具有副产物的惰性气体流通过所述至少一个排气区出口,其中所述排气区中所述卤代硅烷的浓度低于所述处理区中所述卤代硅烷的浓度;并且随着所述可处理的基材从所述进料辊进料,将所述经处理的基材的一部分基本上连续地移动到吸收辊上。
地址 美国佛罗里达