| 发明名称 |
半导体装置 |
| 摘要 |
括氧化物半导体之电晶体中，该氧化物半导体中之氢导致该电晶体之电特性退化。因而，本发明之目标为提供具有良好电特性之半导体装置。藉由电浆CVD法使用矽卤化物而形成绝缘层，其接触形成通道区域之氧化物半导体层。该绝缘层因而经形成而具有低于6×1020原子/cm3之氢浓度，及大于或等于1×1020原子/cm3之卤素浓度；因此，可避免氢扩散进入该氧化物半导体层，且该氧化物半导体层中之氢藉由该卤素而被钝化或从该氧化物半导体层释放，藉此可提供具有良好电特性之半导体装置。 |
| 申请公布号 |
TWI535029 |
申请公布日期 |
2016.05.21 |
| 申请号 |
TW100122816 |
申请日期 |
2011.06.29 |
| 申请人 |
半导体能源研究所股份有限公司 |
发明人 |
一条充弘;远藤俊弥;铃木邦彦;竹村保彦 |
| 分类号 |
H01L29/786(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/31(2006.01) |
主分类号 |
H01L29/786(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
林志刚 |
| 主权项 |
一种半导体装置，包含：闸极电极；氧化物半导体层；具有夹于该闸极电极与该氧化物半导体层之间的区域的闸极绝缘层；与该氧化物半导体层电连接的源极电极；与该氧化物半导体层电连接的汲极电极；及具有与该氧化物半导体层的上表面接触的区域且具有在通道长度方向与该氧化物半导体层的端部重叠的区域的绝缘层，其中，该氧化物半导体层具有夹于该闸极绝缘层与该绝缘层之间的区域，及其中，该绝缘层具有卤素浓度为大于或等于1×1019原子/cm3的区域。
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| 地址 |
日本 |
