SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

摘要

Cu 배선을 구비한 반도체 장치의 TDDB 수명을 향상시킨다. 반도체 장치는 층간 절연막(INS2)과, 층간 절연막(INS2) 내부에 형성된 인접하는 Cu 배선(M1W)들과, 층간 절연막(INS2) 표면 및Cu 배선(M1W)들 표면과 접하며 또 층간 절연막(INS2) 및 Cu 배선(M1W)들을 피복하는 절연성 배리어막(BR1)을 가진다. 그리고, 인접하는 Cu 배선(M1W)들 간에 있어서 층간 절연막(INS2)은 그 표면에 대미지층(DM1)을 가지고, 대미지층(DM1)보다 깊은 위치에 대미지층(DM1)의 질소 농도보다 높은 질소 농도를 가지는 전계 완화층(ER1)을 구비한다.