发明名称 制造具有一球形凹入闸极之半导体元件的方法
摘要 一种制造半导体元件的方法,包括:蚀刻一基板的一部份以形成一凹入;将一聚合物层填入该凹入之一较低部份;于该凹入之该较低部份以上的该凹入上方形成侧壁间距元件;移除该聚合物层;及等向性蚀刻该凹入之该较低部份以形成一球形凹入。
申请公布号 TW200737358 申请公布日期 2007.10.01
申请号 TW095149208 申请日期 2006.12.27
申请人 海力士半导体股份有限公司 发明人 赵俊熙
分类号 H01L21/336(2006.01);H01L21/76(2006.01);H01L21/3065(2006.01) 主分类号 H01L21/336(2006.01)
代理机构 代理人 何金涂;李国光
主权项
地址 韩国