发明名称 VERTICAL POWER MOSFET HAVING REDUCED SENSITIVITY TO VARIATIONS IN THICKNESS OF EPITAXIAL LAYER
摘要
申请公布号 EP0956596(A1) 申请公布日期 1999.11.17
申请号 EP19970908898 申请日期 1997.03.14
申请人 SILICONIX INCORPORATED 发明人 WILLIAMS, RICHARD, K.
分类号 H01L21/336;H01L29/08;H01L29/78;(IPC1-7):H01L29/76;H01L21/265;H01L21/02 主分类号 H01L21/336
代理机构 代理人
主权项
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