| 主权项 |
1.一种半导体装置之制造方法,其半导体装置,系具有:半导体基板,其主要面上具有半导体电路,以及具有从主要面延伸至背面之贯穿孔:贯穿电极,其端部由上述背面突出且设于上述贯穿孔内,其步骤包含:将凹陷形成于其表面上具备上述半导体电路的基板主体上;将绝缘膜形成于上述凹陷内壁面上;中间夹有上述绝缘膜将导电材镶入于上述凹陷内,以形成可作为上述贯穿电极的埋入电极;对于与上述表面相对应的上述基板主体背面予以去除到使上述埋入电极端面露出为止,以作成上述贯穿电极;对于上述基板主体的背面进行阳极氧化以形成阳极氧化膜;利用蚀刻来去除上述阳极氧化膜以形成已做薄膜化的半导体基板。2.一种半导体装置之制造方法,其半导体装置,系具有:半导体基板,其主要面上具有半导体电路,以及具有从主要面延伸至背面之贯穿孔:贯穿电极,其端部由上述背面突出且设于上述贯穿孔内,其步骤包含:将凹陷形成于其表面上具备半导体电路的基板主体上;将绝缘膜形成于上述凹陷内壁面上;中间夹有上述绝缘膜将导电材镶入于上述凹陷内,以形成可作为贯穿电极的埋入电极;对于与上述表面相对应的上述基板主体背面予以去除,到上述凹陷底面处前为止;对于上述基板主体的背面进行阳极氧化以形成阳极氧化膜;利用蚀刻来去除上述阳极氧化膜作为上述贯穿电极,且形成已做薄膜化的半导体基板;去除覆盖上述贯穿电极端部之上述绝缘膜。3.如申请专利范围第1或2项之半导体装置之制造方法,其中多次重复进行对于上述基板主体的上述背面予以阳极氧化以形成阳极氧化膜之步骤,以及利用蚀刻来去除上述阳极氧化膜之步骤。4.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法,其中利用蚀刻来去除上述阳极氧化膜之后,再对于上述半导体基板的上述背面进行阳极氧化以形成阳极绝缘膜。5.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法,其中上述半导体基板系由矽或以矽为主要成分的单晶体所构成者,上述绝缘膜系由氮化矽所构成者。图式简单说明:图1(a)~(e)为在本发明第1实施形态的半导体装置之制造方法的各步骤中,半导体装置的剖面图。图2(a)~(f)为在本发明第2实施形态的半导体装置之制造方法的各步骤中,半导体装置的剖面图。 |
