积体电路的制造方法

摘要

一种积体电路的制造方法，用以解决该积体电路内元件区与周边电路区之间平坦化的问题，包括下列步骤：首先提供一矽基底；接着蚀刻该矽基底之该元件区，使该元件区和该周边电路区有一高低落差；以及最后完成该积体电路。本发明以简单的步骤，轻易克服元件区和周边电路区之高低落差问题，达到全面性平坦化的目的。

主权项

1. 一种积体电路的制造方法,用以解决该积体电路内元件区与周边电路区之间平坦化的问题,该制造方法包括下列步骤:提供一矽基底;蚀刻该矽基底之该元件区,使该元件区和该周边电路区预先有一高低落差;以及完成该积体电路。2. 如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中蚀刻该元件区系以湿蚀刻的方式进行。3. 如申请专利范围第2项所述之制造方法,其中以湿蚀刻方式来蚀刻该元件区系利用HNO@ss3.HF以及CH@ss3COOH的混合液。4. 如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该高低落差之厚度约为0.5(到2(之间。图示简单说明:第1A至1C图是依照本发明一较佳实施例的一种积体电路部