| 发明名称 |
SELECT DEVICE FOR CROSS POINT MEMORY STRUCTURES |
| 摘要 |
본 발명은 제1 전도체와 제2 전도체 사이에 위치된 저항성 메모리 요소를 포함하며, 제1 전도체와 제2 전도체가 저항성 메모리 요소를 활성화시키도록 구성된 메모리셀을 제공한다. 메모리셀은 또한 메모리 요소와 제1 전도체 또는 제2 전도체 중의 어느 하나와의 사이에 메모리 요소와 직렬로 위치된 백워드 다이오드를 포함한다. |
| 申请公布号 |
KR101634194(B1) |
申请公布日期 |
2016.06.28 |
| 申请号 |
KR20167007303 |
申请日期 |
2011.10.12 |
| 申请人 |
휴렛 팩커드 엔터프라이즈 디벨롭먼트 엘피 |
发明人 |
리베이로 길베르토 엠.;닉켈 재니스 에이치. |
| 分类号 |
G11C13/00;H01L27/24;H01L29/88;H01L45/00 |
主分类号 |
G11C13/00 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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