JUNCTION MOTT TRANSITION FIELD EFFECT TRANSISTORJMTFET AND SWITCH FOR LOGIC AND MEMORY APPLICATIONS
摘要
<p>본 발명은 채널 재료 상에 형성된 제 1 및 제 2 콘택트, 제 1 및 제 2 콘택트 사이에 개재되어 있는 도핑된 제 1 절연체 재료의 막, 채널 재료의 일부 영역을 사이에 두고 도핑된 제 1 절연체 재료에 인터페이스(interface)되어 있는 제 2 절연체 재료를 포함하는 반도체 디바이스에 관한 것이다. 제 2 절연체 재료는 채널 재료에서의 캐리어(carrier)에 대하여 반대 전하의 캐리어를 갖도록 도핑된다.</p>
