| 摘要 |
<p>소자격리를 위한 반도체기판의 PGI(profiled groove isolation) 홈 형성시 플라즈마방식의 식각 등에 의한 기판의 결함부위를 질소 이온주입으로 큐어링하여 누설전류를 감소시키도록 한 반도체장치의 트렌치형 소자격리방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 반도체장치의 소자격리방법은 반도체기판 상에 반도체기판의 소정 부분을 노출시켜 소자격리영역과 활성영역을 한정하는 식각마스크를 형성하는 단계와, 식각마스크를 이용하여 반도체기판의 노출된 부분에 소정 깊이의 홈을 형성하는 단계와, 홈 부위의 노출된 반도체기판의 표면에 이온매몰층을 형성하는 단계와, 홈을 절연물질로 매립하는 단계와, 식각마스크를 제거하는 단계와, 반도체기판에 열공정을 실시하는 단계를 포함하는 공정으로 이루어진다.</p> |
