发明名称 METHOD FOR MANUFACTURING OF MOS SEMICONDUCTOR DEVICES
摘要
申请公布号 KR920007826(B1) 申请公布日期 1992.09.17
申请号 KR19890003275 申请日期 1989.03.16
申请人 FUJI ELECTRIC CO.,LTD. 发明人 FUJIHARA, TATSUHIKO
分类号 H01L29/68;H01L21/331;H01L21/336;H01L29/10;H01L29/739;H01L29/78;(IPC1-7):H01L29/78 主分类号 H01L29/68
代理机构 代理人
主权项
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