Halbleitervorrichtung und Herstellungsverfahren dafür

摘要

CMOS-Tansistoren, die eine Anforderung zur Größenverringerung und eine Anforderung zur Zuverlässigkeit erfüllen, und ein Herstellungsverfahren dafür werden vorgesehen. Ein PMOS-Transistor mit vergrabenem Kanal ist nur in einem CMOS-Transistor (100B) vorgesehen, der für hohe Spannung ausgelegt ist. NMOS-Transistoren mit Oberflächenkanal sind in einem Niederspannungs-NMOS-Bereich (LNR) und einem Hochspannungs-NMOS-Bereich (HNR) gebildet. Ein PMOS-Transistor mit einem Oberflächenkanal ist in einem Niederspannungs-PMOS-Bereich (LPR) gebildet.