| 主权项 |
1.一种阴极,其特征在于包括与半导体有机层低电阻性接触之导电性非金属层。2.如申请专利范围第1项之阴极,其中该导电性非金属层包括能带隙至少1电子伏特之宽幅能带隙半导体。3.如申请专利范围第1项之阴极,其中该宽幅能带隙半导体对于入射及容纳照射之透光度至少50百分比。4.如申请专利范围第1项之阴极,其中该半导体有机层系包括聚省(polyacene)化合物。5.如申请专利范围第1项之阴极,其中该半导体有机层系包括菁。6.如申请专利范围第1项之阴极,其中该半导体有机层系包括铜菁。7.如申请专利范围第1项之阴极,其中该半导体有机层系包括锌菁。8.一种光电子装置,其特征在于包括将电能转换成光能或将光能转换成电能之装置,该装置包括如申请专利范围第1.2.3.4.5.6及/或7项之阴极。9.一种有机发光装置,其特征在于包括用以产生电致发光之异质结构,其中该异质结构包括如申请专利范围第1.2.3.4.5.6及/或7项之阴极。10.一种有机雷射,其特征在于包括如申请专利范围第1.2.3.4.5.6及/或7项之阴极的有机雷射。11.一种制造光电子装置之方法,其特征在于包括:制造一光电子装置,其中该制造方法包括步骤:于有机层上沉积导电性非金属层,以于有机层表面上形成界面区,而于该两层作为光电子装置之阴极时,降低跨经该两层之电压降。12.如申请专利范围第11项之方法,其中该导电性非金属层系包括能带隙至少1电子伏特之宽幅能带隙半导体。13.如申请专利范围第11项之方法,其中该宽幅能带隙半导体对于入射及容纳照射之透光度至少50百分比。14.如申请专利范围第11项之方法,其中该半导体有机层系包括聚省(polyacene)化合物。15.如申请专利范围第11项之方法,其中该半导体有机层系包括菁。16.如申请专利范围第11项之方法,其中该半导体有机层系包括铜菁。17.如申请专利范围第11项之方法,其中该半导体有机层系包括锌菁。18.一种制造阴极之方法,其特征在于包括:制备一包括导电性非金属层之阴极,其中该制备方法包括步骤:于该导电性非金属层及半导体有机层间形成界面区,其中该界面区使该导电性非金属材料与该半导体有机层处于低电阻性接触。19.如申请专利范围第18项之方法,其中该导电性非金属层系包括能带隙至少1电子伏特之宽幅能带隙半导体。20.如申请专利范围第18项之方法,其中该宽幅能带隙半导体对于入射及容纳照射之透光度至少50百分比。21.如申请专利范围第18项之方法,其中该半导体有机层系包括聚省(polyacene)化合物。22.如申请专利范围第18项之方法,其中该半导体有机层系包括菁。23.如申请专利范围第18项之方法,其中该半导体有机层系包括铜菁。24.如申请专利范围第18项之方法,其中该半导体有机层系包括锌菁。25.一种叠层有机发光装置,其包括第一个异质结构,用以产生电致发光,及第二个异质结构,用以产生电致发光,该第二个异质结构系层叠于该第一个异质结构上;其中至少一异质结构系包括如申请专利范围第1.2.3.4.5.6及/或7项之阴极。26.一种制造有机发光装置之方法,其特征在于包括制备用以产生电致发光之异质结构,其中该制备方法包括形成如申请专利范围第1.2.3.4.5.6及/或7项之阴极的步骤。27.如申请专利范围第9项之有机发光装置,其中该异质结构另外包括电荷载流子层,其中该电荷载流子层包括分子具有至少一电子输送部分及至少一电洞输送部分之化合物,该电子输送部分系为与选自Al,Ga及In之金属配位之2-甲基-8-酸根络配位体。28.如申请专利范围第27项之有机发光装置,其中该金属系为Al。29.如申请专利范围第27项之有机发光装置,其中该电洞输送部分系为电洞输送胺部分。30.如申请专利范围第27项之有机发光装置,其中该电洞输送部分系为三芳基胺衍化酚盐。31.如申请专利范围第27项之有机发光装置,其中该化合物具有两个与Al配位之2-甲基-8-酸根络配位体以作为电子输送部分,及一个三芳基胺衍化酚盐以作为电洞输送部分。32.如申请专利范围第27项之有机发光装置,其中该化合物系为双(2-甲基-8-酸根络基)[对-(N-苯基-2-胺基)酚根络]铝(III)。33.如申请专利范围第27项之有机发光装置,其中该化合物系为双(2-甲基-8-酸根络基)(对-唑酚根络)铝(III)。34.如申请专利范围第27项之有机发光装置,其中该化合物系为双(2-甲基-8-酸根络基)(间-唑酚根络)铝(III)。35.如申请专利范围第27项之有机发光装置,其中该电荷载流子层系为发射层。36.如申请专利范围第27项之有机发光装置,其中该电荷载流子层系为双异质结构之个别发射层。37.如申请专利范围第27项之有机发光装置,其中该电荷载流子层系为单一异结构之电子输送层。38.如申请专利范围第27项之有机发光装置,其中该电荷载流子层系为夹置于该阴极及一电子输送层之间的电子注射层。39.如申请专利范围第27项之有机发光装置,其中该电荷载流子层包含掺杂有染料之该化合物。40.如申请专利范围第26项之方法,其中该制备方法另外包括形成电荷载流子层之步骤,其中该电荷载流子层包含分子中具有至少一电子输送部分及至少一电洞输送部分之化合物,该电子输送部分系为与选自Al,Ga及In之金属配位之2-甲基-8-酸根络配位体。41.如申请专利范围第9项之有机发光装置,其中该异质结构另外包括一发射层,含有具有式C-I化学结构之掺杂剂化合物:其中R系为氢或相对于氢系为施体或受体基之基团;R'系为烷基或经取代或不经取代之芳基;R1及R2系为氢或键结形成稠合芳基环;X系为0;NR5,其中R5系为氢或经取代或不经取代之烷基;烷基或经取代或不经取代之芳基;Z1及Z2个别系为碳原子或氮原子;而Y系为M(一金属原子),而此时Z1及Z2两者皆为氮原子;Y系为0;NR6,其中R6系为氢或经取代或不经取代之烷基;或S;此时Z1及Z2皆系为碳原子;或Y系不存在。42.如申请专利范围第41项之有机发光装置,其中Z1系为碳原子,Z2系为氮原子,X系为氧原子,而Y不存在,其中该掺杂剂化合物系具有式C-II之化学结构:43.如申请专利范围第42项之有机发光装置,其中该掺杂剂化合物具有式C-II之化学结构,其中R1及R2系为氢,R=H,而R'=C6H5。44.如申请专利范围第42项之有机发光装置,其中该掺杂剂化合物具有式C-II之化学结构,其中R1及R2系为氢,R=OOCCH3而R'=C6H5。45.如申请专利范围第42项之有机发光装置,其中该掺杂剂化合物具有式C-II之化学结构,其中R1及R2系为氢,R=N(CH3)2而R'=C6H5。46.如申请专利范围第42项之有机发光装置,其中该掺杂剂化合物具有式C-II之化学结构,其中R1及R2系为氢,R=C(CH3)而R'=C6H5。47.如申请专利范围第41项之有机发光装置,其中该掺杂剂化合物具有式C-IV之化学结构:其中R'=C6H5。48.如申请专利范围第41项之有机发光装置,其中该掺杂剂化合物具有式C-V之化学结构:49.如申请专利范围第41项之有机发光装置,其中该掺杂剂化合物具有式C-VI之化学结构:50.如申请专利范围第41项之有机发光装置,其中该用以产生电致发光之异质结构依序系包括基板、阴极层、电子输送层、电洞输送层及阳极层。51.如申请专利范围第41项之有机发光装置,其中该用以产生电致发光之异质结构依序系包括基板、阳极层、电洞输送层、电子输送层及阴极层。52.如申请专利范围第26项之方法,其中该制备方法另外包括形成发射层之步骤,该发射层含有式C-I之掺杂剂化合物:其中R系为氢或相对于氢系为施体或受体基之基团;R'系为烷基或经取代或不经取代之芳基;R1及R2系为氢或键结形成稠合芳基环;X系为0;NR5,其中R5系为氢或经取代或不经取代之烷基;烷基或经取代或不经取代之芳基;Z1及Z2个别系为碳原子或氮原子;而Y系为M(一金属原子),而此时Z1及Z2两者皆为氮原子;Y系为0;NR6,其中R6系为氢或经取代或不经取代之烷基;或S;此时Z1及Z2皆系为碳原子;或Y系不存在。53.一种具有式C-I之化学结构之化合物:其中R系为氢或相对于氢系为施体或受体基之基团;R'系为烷基或经取代或不经取代之芳基;R1及R2系为氢或键结形成稠合芳基环;X系为0;NR5,其中R5系为氢或经取代或不经取代之烷基;烷基或经取代或不经取代之芳基;Z1及Z2个别系为碳原子或氮原子;而Y系为M(一金属原子),而此时Z1及Z2两者皆为氮原子;Y系为0;NR6,其中R6系为氢或经取代或不经取代之烷基;或S;此时Z1及Z2皆系为碳原子;或Y系不存在;先决条件为当Y不存在,Z1系为碳原子而Z2系为氮原子时,R系为相对于氢系为施体或受体基之基团。54.如申请专利范围第53项之化合物,其中Z1系为碳原子,Z2系为氮原子,X系为氧原子,而Y不存在,其中该化合物系具有式C-II之化学结构:55.如申请专利范围第54项之化合物,其中该化合物具有式C-II之化学结构,其中R1及R2系为氢,R=OOCCH3而R'=C6H5。56.如申请专利范围第54项之化合物,其中该化合物具有式C-II之化学结构,其中R1及R2系为氢,R=N(CH3)2而R'=C6H5。57.如申请专利范围第54项之化合物,其中该化合物具有式C-II之化学结构,其中R1及R2系为氢,R=C(CH3)而R'=C6H5。58.如申请专利范围第9项之有机发光装置,其中该异质结构另外包括含有磷光掺杂剂化合物之发射层。59.如申请专利范围第58项之有机发光装置,其中该发射层系为电子输送层60.如申请专利范围第58项之有机发光装置,其中该发射层系为电洞输送层。61.如申请专利范围第58项之有机发光装置,其中该磷光掺杂剂化合物具有不大于的10微秒之磷光活期。62.如申请专利范围第58项之有机发光装置,其中该磷光掺杂剂化合物具有式D-I化学结构:其中X系为C或N;R8.R9及R10个别选自氢、烷基、经取代之烷基、芳基及经取代之芳基;R9及R10可结合形成稠合环;M1系为二价、三价或四价金属;且a、b及c各为0或1;其中,当X系为C时,a系为1;当X系为N时,a系为0;当c系为1时,b系为0;而当b系为1时,c系为0。63.如申请专利范围第58项之有机发光装置,其中该磷光掺杂剂化合物系为八乙基噗吩铂,而具有下式化学结构:64.如申请专利范围第63项之有机发光装置,其中该磷光掺杂剂化合物系掺杂于包含三-(8-羟基)铝之电子输送层中。65.如申请专利范围第64项之有机发光装置,其中该用以产生电致发光之异质结构包括电洞输送层,包含N,N'-二苯基-N,N'-双(3-甲基苯基)-1,1'-联苯基-4,4'-二胺。66.如申请专利范围第64项之有机发光装置,其中该磷光掺杂剂化合物系产生尖峰位于约640毫微米之饱和红色发射。67.如申请专利范围第58项之有机发光装置,其中该用以产生电致发光之异质结构依序系包括基板、阴极层、电子输送层、电洞输送层及阳极层。68.如申请专利范围第58项之有机发光装置,其中该用以产生电致发光之异质结构依序系包括基板、阳极层、电洞输送层、电子输送层及阴极层。69.如申请专利范围第25项之叠层有机发光装置,其中包括与半导体有机层低电阻性接触之导电性非金属层之至少一异质结构系另外包括一发射层,含有磷光掺杂剂化合物。70.如申请专利范围第26项之方法,其中该制备方法另外包括形成发射层之步骤,该发射层系含有磷光掺杂剂化合物。71.如申请专利范围第58项之有机发光装置,其中该磷光掺杂剂化合物系具有式E-II之化学结构:其中R-基R1.R2.R3及R4个别系为烷基、芳基或氢,先决条件为至少一R基异于至少一其他R基。72.如申请专利范围第71项之有机发光装置,其中该磷光掺杂剂化合物系具有式E-III之结构;其中R5及R6可系为电子施体或电子受体基围,而R5及R6可相同或相异。73.如申请专利范围第71项之有机发光装置,其中该磷光掺杂剂化合物系具有式E-II之结构 其中Rl及R3系为氢,而R2及R4系为未经取代之苯基。74.如申请专利范围第71项之有机发光装置,其中该发射层系为电子输送层。75.如申请专利范围第71项之有机发光装置,其中该发射层系为电洞输送层。76.如申请专利范围第71项之有机发光装置,其中该磷光掺杂剂化合物具有不大于约10微秒之磷光活期。77.如申请专利范围第71项之有机发光装置,其中该磷光掺杂剂化合物系掺杂于包含三-(8-羟基)铝之电子输送层中。78.如申请专利范围第71项之有机发光装置,其中该用以产生电致发光之异质结构包括电洞输送层,包含N,N'-二苯基-N,N'-双(3-甲基苯基)-1,1'-联苯基-4,4'-二胺。79.如申请专利范围第73项之有机发光装置,其中该磷光掺杂剂化合物系掺杂于包含三-(8-羟基)铝之电子输送层中。80.如申请专利范围第79项之有机发光装置,其中该用以产生电致发光之异质结构包括电洞输送层,包含N,N'-二苯基-N,N'-双(3-甲基苯基)-1,1'-联苯基-4,4'-二胺。81.如申请专利范围第73项之有机发光装置,其中该磷光掺杂剂化合物系产生尖峰位于约630毫微米之饱和红色发射。82.如申请专利范围第71项之有机发光装置,其中该用以产生电致发光之异质结构依序系包括基板、阴极层、电子输送层、电洞输送层及阳极层。83.如申请专利范围第71项之有机发光装置,其中该用以产生电致发光之异质结构依序系包括基板、阳极层、电洞输送层、电子输送层及阴极层。84.如申请专利范围第69项之叠层有机发光装置,其中该磷光掺杂剂化合物系具有式E-II之化学结构:其中R-基R1.R2.R3及R4个别系为烷基、芳基或氢,先决条件为至少一R基异于至少一其他R基。85.如申请专利范围第69项之叠层有机发光装置,其中该磷光掺杂剂化合物系具有式E-III之结构:其中R5及R6可系为电子施体或电子受体基团,而R5及R6可相同或相异。86.如申请专利范围第84项之叠层有机发光装置,其中该磷光掺杂剂化合物系具有式E-II之结构,其中R1及R3系为氢,而R2及R4系为未经取代之苯基。87.如申请专利范围第70项之方法,其中该磷光掺杂剂化合物系具有式E-II之化学结构:其中R-基R1.R2.R3及R4个别系为烷基、芳基或氢,先决条件为至少一R基异于至少一其他R基。88.如申请专利范围第70项之方法,其中该磷光掺杂剂化合物系具有式E-III之结构:其中R5及R6可系为电子施体或电子受体基团,而R5及R6可相同或相异。89.如申请专利范围第87项之方法,其中该磷光掺杂剂化合物系具有式E-II之结构,其中R1及R3系为氢,而R2及R4系为未经取代之苯基。90.如申请专利范围第9项之有机发光装置,其中该异质结构另外包括具有玻璃结构之电洞输送层,其中该电洞输送层包括具有对称分子结构之化合物,其分子末端基系为于两脂芳烃间具有不饱和键结之电洞输送胺部分。91.如申请专利范围第90项之有机发光装置,其中该化合物具有下式:其中A包括一或二苯基,R1及R2个别选自氢、烷基、苯基、经取代之烷基及经取代之苯基,而其中R1及R2可桥联。92.如申请专利范围第91项之有机发光装置,其中该化合物具有下式:93.如申请专利范围第91项之有机发光装置,其中该化合物具有下式:94.如申请专利范围第91项之有机发光装置,其中该化合物具有下式:95.如申请专利范围第91项之有机发光装置,其中R1及R2相同。96.如申请专利范围第91项之有机发光装置,其中R1及R2相异。97.如申请专利范围第90项之有机发光装置,其中该化合物具有下式:98.如申请专利范围第90项之有机发光装置,其中该化合物系为电洞输送层之主要成分。99.如申请专利范围第90项之有机发光装置,其中该化合物系为电洞输送层之掺杂剂。100.如申请专利范围第90项之有机发光装置,其中该用以产生电致发光之异质结构依序系包括基板、阴极层、电子输送层、电洞输送层及阳极层。101.如申请专利范围第90项之有机发光装置,其中该用以产生电致发光之异质结构依序系包括基板、阴极层、电子输送层、电洞输送层、电洞注射层及阳极层。102.如申请专利范围第90项之有机发光装置,其中该用以产生电效发光之异质结构依序系包括基板、阴极层、电子输送层、发射层、电洞输送层及阳极层。103.如申请专利范围第90项之有机发光装置,其中该用以产生电致发光之异质结构依序系包括基板、阴极层、电子输送层、电洞输送层、发射层、电洞注射层及阳极层。104.如申请专利范围第90项之有机发光装置,其中该用以产生电效发光之异质结构依序系包括基板、阳极层、电洞输送层、电子输送层及阴极层。105.如申请专利范围第26项之方法,其中该制备方法另外包括形成具有玻璃结构之电洞输送层的步骤,其中该电洞输送层包括具有对称分子结构之化合物,其分子末端基系为于两脂芳烃间具有不饱和键结之电洞输送胺部分。106.如申请专利范围第9项之有机发光装置,其中该异质结构另外包括具有玻璃结构之电洞输送层,其中该电洞输送层包括具有以下分子式之化合物:107.如申请专利范围第9项之有机发光装置,其中该异质结构另外包括具有玻璃结构之电洞输送层,而其中该电洞输送层包括具有以下分子式之化合物:图式简单说明:图1A显示标准先前技艺有机发光装置之图解说明。图1B1显示本发明代表性有机发光装置。图1B2显示本发明另一个代表性有机发光装置。图1C相对于图1B1所示之有机发光装置的电流显示光输出,该有机发光装置具有氧化铟锡阴极及CuPc电子注射界面层。此图所示之最低数値组系于180小时下得到。图1D相对于具有Mg:Ag阴极层之标准先前技艺TOLED的电流显示光输出。此图中之最低数値组系于180小时下测量。图1E显示ZnPc电子注射界面层及CuPc电子注射界面层之I-V曲线。图1F相对于ZnPc电子注射界面层显示光输出,与CuPc电子注射界面层比较,其中CuPc装置之效率系为0.23百分比,而ZnPc装置系为0.15百分比。图1G显示具有氧化铟锡阴极及CuPc电子注射界面层之有机发光装置以波长(毫微米)函数表示之透光度(T)、反射度(R)及吸光度(A)。图1H显示具有Mg:Ag阴极层之标准先前技艺有机发光装置的I-V特性,其较高値组系位于0小时,而较低値组系位于180小时。图1I显示具有氧化铟锡阴极及CuPc电子注射界面层之有机发光装置的I-V特性,其较高値组系位于0小时,而较低値组系位于60及180小时。图1J显示相对于电流之光输出,此装置CuPc注射层厚度系由约30埃至约120埃。此等装置显示约0.1百分比之量子效率。图1K显示图1J之装置的IV特性。图1L显示含有0.4毫米直径非金属阴极之TOLED("MF-TOLED")及于相同真空循环中生长之参考TOLED的电流-电压特性。图1M显示含有非金属阴极之TOLED结构的示意图。图1N系为图1L所示之含有非金属阴极之TOLED("MF-TOLED")及参考TOLED相对于驱动电流显示顶面及底面之光能输出总和。于最大电流密度下所测量之亮度系对应于2000烛光/米2。图1O显示来自装置顶面及底面两面之电致发光光谱,使用本发明所描述之计算方法于顶部发射光谱放置拟合曲线(实线)。图1P显示含有非金属阴极之TOLED的建议简化能阶图。Dss表示表面状态之密度。图1Q显示一数位重现相片,其系取自含有非金属阴极之TOLED及习用TOLED。留用TOLED显示小型灰色区域,而含有非金属阴极之TOLED于数组重现相片中无法目测。图2A显示Al-pNP、Al-pCb、及Al-mCb于CH2C12溶液中之吸收及萤光光谱。图2B显示具有Al-pNP层之有机发光装置的电致发光(EL)及光致发光(PL)光谱。图2C显示具有Al-pNP层之有机发光装置的I-V特性。图2D显示具有Al-pCb层之有机发光装置的I-V特性。图2E显示具有Al-pCb层之有机发光装置的EL及PL光谱。图2F显示具有Al-pCb/ 层之有机发光装置的EL及PL光谱。图2G显示具有Al-pCb/ 层之有机发光装置的I-V特性。图3A显示掺杂有0.8百分比化合物3以作为掺杂剂之装置及未经掺杂之Alq3装置("0百分比")之电致发光光谱,其系与存于CH2C12中之掺杂剂的光致发光光谱比对。图3B显示经掺杂或不经掺杂之装置的I-V特性。图4A显示掺杂有TPP之有机发光装置的光致发光(EL)光谱。图4B显示于不同电压(6.9.12及15伏特)下以波长函数表示之EL光谱,其系具有掺杂0.6莫耳百分比PtOEP之Alq3层的有机发光装置,而与掺杂TPP之装置的EL光谱("TPPEL")对照。图4C显示于不同电压下以波长函数表示之EL光谱,其系掺杂约0.6莫耳百分比PtOEP的有机发光装置。图4D显示掺杂PtOEP之Alq3装置于不同PtOEP浓度下,以波长函数表示之光致发光(PL)光谱。图4E显示PtOEP溶液于不同激光波长下以波长函数表示之PL光谱,与具有掺杂0.6莫耳百分比PtOEP之Alq3层之有机发光装置的EL光谱比对。图5A显示代表性铂噗及四种其他噗,其可用以制备可于有机发光装置中作为经铂取代磷光掺杂剂化合物之铂噗。图5B显示掺杂有PtDPP之聚合物有机发光装置的电致发光(EL)光谱,与PtDDP于聚乙苯烯中之光致发光(PL)光谱及掺杂于Alq3装置中之PtOEP的EL光谱比对。图5C1显示以施加电压之函数表示之PtDPP的EL光谱其系掺杂于包括(ITO/NPD/Alq3/MgAg)之有机发光装置的Alq3层中。图5C2显示掺杂PtDPP之Alq3有机发光装置的EL光谱,与掺杂PtOEP之Alq3有机发光装置比对(每个装置皆于9伏特下操作)。图5D显示掺杂PtDPP之有机发光装置之CIE配位及发光输出,与其他发红光之有机发光装置比对。图5E显示针对人眼敏感度而经CIE标准化之光照反应曲线与针对产生饱和红色发射之化合物的规格化发射光谱的重叠。图6A显示本发明具体实例之电流相对于电压之图。图6B显示本发明具有CuPu电洞注射促进层之具体实例的电流对电压图。 |
