| 主权项 |
1.一种p型氮化镓系化合物半导体之制法,包含:制作添加p型杂质的氮化镓系化合物半导体层之第1工程;在上述氮化镓系化合物半导体层上,制作由金属等所构成的催化剂层之第2工程;和,对上述附着催化剂层状态下的氮化镓系化合物半导体层施加热处理之第3工程。2.如申请专利范围第1项之p型氮化镓系化合物半导体之制法,其中,上述催化剂层是由其金属氢化物的生成热是比p型杂质的为小之金属所构成。3.如申请专利范围第2项之p型氮化镓系化合物半导体之制法,其中,上述催化剂层是由至少含有Ni、Co、Fe、Mn、Cr、V、Ti、Re、W、Ta、Hf、Lu、Gd、Ce、La、Ru、Mo、Zr、Y、Au、Ag、Cu、Al、Bi所组成的群内所包含的元素中之一种或二种以上的元素之金属、合金,或化合物所构成之单层膜或多层膜。4.如申请专利范围第2项之p型氮化镓系化合物半导体之制法,其中,上述催化剂层是由含有Ni的金属、合金、或化合物所构成的单层膜或多层膜。5.如申请专利范围第1~4项中任一项之p型氮化镓系化合物半导体之制法,其中,在上述第3工程中的热处理是在200℃以上的温度下所进行。6.如申请专利范围第1~4项中任一项之p型氮化镓系化合物半导体之制法,其系包含:在上述第3工程之后的剥离催化剂层之第4工程。7.如申请专利范围第1~4项中任一项之p型氮化镓系化合物半导体之制法,其中,上述催化剂层的膜厚是在1nm~100nm范围。8.一种氮化镓系化合物半导体发光元件之制法,其特征在于:在制作具有各自都由氮化镓系化合物半导体所构成的n型层、发光层及p型层的氮化镓系化合物半导体发光元件的氮化镓系化合物半导体发光元件之制法中,该上述p型层系由下列工程所制作而得:作添加p型杂质的氮化镓系化合物半导体层之第1工程;在上述氮化镓系化合物半导体层上,制作由金属等所构成的催化剂层之第2工程;对上述附着催化剂层状态下的氮化镓系化合物半导体层施加热处理之第3工程;和剥离上述催化剂层之第4工程。9.如申请专利范围第8项之氮化镓系化合物半导体发光元件之制法,其中,上述催化剂层是由其金属氢化物的生成热是比p型杂质的为小之金属所构成。10.如申请专利范围第9项之氮化镓系化合物半导体发光元件之制法,其中,上述催化剂层是由至少含有Ni、Co、Fe、Mn、Cr、V、Ti、Re、W、Ta、Hf、Lu、Gd、Ce、La、Ru、Mo、Zr、Y、Au、Ag、Cu、Al、Bi所组成的群内所包含的元素中之一种或二种以上的元素之金属、合金、或化合物所构成之单层膜或多层膜者。11.如申请专利范围第9项之氮化镓系化合物半导体发光元件之制法,其中,上述催化剂层是由含有Ni的金属、合金、或化合物所构成的单层膜或多层膜。12.如申请专利范围第8~11项中任一项之氮化镓系化合物半导体发光元件之制法,其中,上述第3工程中的热处理是在200℃以上的温度下所进行者。13.如申请专利范围第8~11项中任一项之氮化镓系化合物半导体发光元件之制法,其中,上述催化剂层的膜厚是在1nm~100nm范围。14.一种氮化镓系化合物半导体发光元件,其系在于具有各自都由氮化镓系化合物半导体所构成的n型层、发光层及p型层之氮化镓系化合物半导体发光元件中,其特征为:上述p型层是在添加杂质的氮化镓系化合物半导体层上,制作由金属等所构成的催化剂层,并对附着该催化剂层状态下的氮化镓系化合物半导体层施加热处理后,剥离催化剂层,以形成为使其p型杂质活性化之层。图式简单说明:第1图系本发明p型氮化镓系化合物半导体的制法程序之说明图。第2图系要对试样施加热处理所使用的热处理炉之概略平面图。第3图系热处理温度与载体浓度之间的关系图。第4图系包含本发明方法所制成的p型氮化镓系化合物半导体所构成的半导体发光元件之制法说明图。 |
