| 发明名称 | 半导体结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 半导体结构包括衬底、第一半导体鳍、第二半导体鳍和第一轻掺杂漏极(LDD)区。第一半导体鳍设置在衬底上。第一半导体鳍具有顶面和侧壁。第二半导体鳍设置在衬底上。第一半导体鳍和第二半导体鳍彼此间隔开纳米尺度的距离。第一轻掺杂漏极(LDD)区至少设置在第一半导体鳍的顶面和侧壁中。本发明的实施例还涉及半导体结构的制造方法。 | ||
| 申请公布号 | CN106067479A | 申请公布日期 | 2016.11.02 |
| 申请号 | CN201510979036.3 | 申请日期 | 2015.12.23 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 蔡俊雄;游国丰;陈科维 |
| 分类号 | H01L29/10(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/10(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;李伟 |
| 主权项 | 一种半导体结构，包括：衬底；第一半导体鳍，设置在所述衬底上，其中，所述第一半导体鳍具有顶面和侧壁；第二半导体鳍，设置在所述衬底上，其中，所述第一半导体鳍和所述第二半导体鳍彼此间隔开纳米尺度的距离；以及第一轻掺杂漏极(LDD)区，至少设置在所述第一半导体鳍的顶面和侧壁中。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||