| 发明名称 | 阵列和制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种微阵列结构，其包括基底材料层、在所述基底材料层上的连续三维(3D)表面层和惰性材料，所述连续三维(3D)表面层能够官能化以用作阵列，其中所述结构包括尺寸为毫米至纳米的精确限定且可官能化的分离的区域。所述可官能化的区域为所述连续3D表面层的一部分，并由所述惰性材料分离，并通过所述连续3D表面层在所述结构内互连。 | ||
| 申请公布号 | CN103958174B | 申请公布日期 | 2016.10.26 |
| 申请号 | CN201280058355.5 | 申请日期 | 2012.10.12 |
| 申请人 | 数码传感有限公司 | 发明人 | A·海恩斯;D·J·贝茨;A·C·帕特里奇;K·坎纳潘 |
| 分类号 | B32B3/00(2006.01)I | 主分类号 | B32B3/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 韦东 |
| 主权项 | 一种微阵列结构，其包括基底材料层、在所述基底材料层上的连续三维(3D)表面层和惰性材料，所述连续三维(3D)表面层能够官能化以用作阵列；其中所述结构包括尺寸为毫米至纳米的精确限定且可官能化的分离的区域；且其中所述可官能化的区域为所述连续3D表面层的一部分，并由所述惰性材料分离，但通过所述连续3D表面层在所述结构内互连。 | ||
| 地址 | 新西兰奥克兰 | ||