包含背面研磨之半导体晶圆加工方法

摘要

本发明之内容系一种精研过之半导体晶圆之背面加工方法。该方法包含：研磨该晶圆背面以移除晶圆材料，自该晶圆背面实质上消除精研损伤。之后该晶圆之背面可加以清理、蚀刻及抛光，随后并将该晶圆之正面加以抛光。该背面研磨加工可在精研加工之后，无需任何其他实质上移除晶圆材料步骤之情况下完成。该晶圆之背面抛光可用化学机械抛光(CMP)机实施且可制得一光亮如镜表面，在雾灯下检查无目视损伤，晶圆材料之移除量约为0.5微米。抛光晶圆正面之后，可在该晶圆之正面上形成一外延薄层。