非挥发性半导体记忆装置及其制造方法

摘要

本发明系在包含使用电荷储存膜之非挥发性记忆用MOS型电晶体及选择此之MOS型电晶体所邻接之分割闸极构造之非挥发性记忆胞中，提高电荷保持特性，使闸极低电阻化。本发明为了抑制电荷储存膜之角部20之薄膜化，以提高电荷保持特性，在选择闸极15之侧壁设置锥部。又，为了稳定地进行使藉自行对准形成之闸极低电阻化之矽化物化，使选择闸极15之侧壁退缩。或在自行对准闸极上部18与选择闸极上部65之间设置阶差。