| 摘要 |
이온 주입을 사용하여 태양 전지 이미터 영역을 제조하는 방법, 및 생성되는 태양 전지가 기술된다. 일례에서, 태양 전지의 교번하는 N형 및 P형 이미터 영역들의 제조 방법은 기판 위에 규소 층을 형성하는 단계를 포함한다. 규소 층의 제1 주입 영역들을 형성하고 비-주입 영역들을 생성하도록, 규소 층 내에 제1 전도성 유형의 도펀트 불순물 원자들이 제1 섀도 마스크를 통해 주입된다. 규소 층의 제2 주입 영역들을 형성하고 나머지 비-주입 영역들을 생성하도록, 규소 층의 비-주입 영역들의 일부분들 내에 제2 반대 전도성 유형의 도펀트 불순물 원자들이 제2 섀도 마스크를 통해 주입된다. 규소 층의 나머지 비-주입 영역들은 선택적 에칭 공정으로 제거되는 반면, 규소 층의 제1 및 제2 주입 영역들은 어닐링되어, 도핑된 다결정 규소 이미터 영역들을 형성한다. |
