发明名称 3 3-D MEMORY WITH ERROR CHECKING AND CORRECTION
摘要 본 발명의 일 실시에 따른 3차원 메모리는 메모리 셀 어레이 및 스페어셀 어레이를 각각 구비하되, 서로 수직 방향으로 적층된 복수 개의 메모리층 및 복수 개의 메모리층을 제어하는 마스터층을 포함한다. 마스터층은 복수 개의 메모리 층들 중 최상위에 적층된 상위 메모리층의 오류검사정정에 사용되는 체크 비트를 상위 메모리층 아래에 적층된 하나 이상의 하위 메모리층의 스페어 셀 어레이에 저장하고, 저장된 체크비트를 이용하여, 상위 메모리층의 오류검사정정을 수행하되, 스페어셀 어레이는 메모리셀에 결함이 발생한 메모리셀을 대체하기 위한 하나 이상의 스페어 메모리 셀들로 이루어진다.
申请公布号 KR101646518(B1) 申请公布日期 2016.08.12
申请号 KR20150125383 申请日期 2015.09.04
申请人 성균관대학교산학협력단 发明人 양준성;한현승
分类号 G11C16/04;G11C29/00;G11C29/42 主分类号 G11C16/04
代理机构 代理人
主权项
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