| 摘要 |
<p>In einem isolierenden Gehäuse (20) ist eine metallene untere Montageplatte (21) angeordnet, auf der ein Halbleiterkörper (23) mit zumindest einem Logikteil (24, 25) und zumindest einem Leistungsteil (26) mit vertikalen MOS-Transistoren angeordnet ist. In dem Gehäuse (20) wird eine der Zahl der Leistungsteile (26) entsprechende Zahl von oberen Montageplatten (22) eingebrachet, die elektrisch leitend auf den Oberseiten der Leistungsteile (26) des Halbleiterkörpers (23) befestigt sind und elektrisch mit Anschlußleitern (4 - 6, 13 - 15) verbunden sind. Die von den oberen Anschlußleitern überdeckten unteren Anschlußleiter sind dabei ausgespart.</p> |
