半导体装置

摘要

本发明涉及半导体装置，其包括：衬底；形成在衬底上的缓冲层；形成在缓冲层上的应变层超晶格缓冲层；在应变层超晶格缓冲层上的由半导体材料形成的电子渡越层；以及在电子渡越层上的由半导体材料形成的电子供给层，该应变层超晶格缓冲层为包含AlN的第一晶格层和包含GaN的第二晶格层的交替堆叠体，该应变层超晶格缓冲层掺杂有选自Fe、Mg和C中的一种、两种或更多种杂质。

主权项

一种半导体装置，包括：衬底；形成在所述衬底上的缓冲层；形成在所述缓冲层上的应变层超晶格缓冲层；在所述应变层超晶格缓冲层上的由半导体材料形成的电子渡越层；以及在所述电子渡越层上的由半导体材料形成的电子供给层；所述应变层超晶格缓冲层为包含AlN的第一晶格层和包含GaN的第二晶格层的交替堆叠体；所述应变层超晶格缓冲层掺杂有选自Fe、Mg和C中的一种、两种或更多种杂质，其中所述缓冲层包括至少三个层，所述至少三个层的每层具有不同Al组成。