| 摘要 |
안정된 전기 특성을 갖는 박막 트랜지스터를 갖는 신뢰성이 높은 반도체 장치를 제조 및 제공하는 것이 목적이다. 채널 형성 영역을 포함한 반도체층이 산화물 반도체막으로서 역할하는 박막 트랜지스터를 포함하는 반도체 장치의 제조 방법에 있어서, 보호막 역할을 하는 산화물 절연막이 산화물 반도체층에 접하여 형성된 후에, 수분 등의 불순물을 저감하는 열 처리(탈수화 또는 탈수소화를 위한 열 처리)가 수행된다. 그 다음, 소스 전극층내, 드레인 전극층내, 게이트 절연층내, 및 산화물 반도체막내 외에도, 산화물 반도체층의 상하에 접하여 제공되는 막들과 산화물 반도체막 사이의 계면에 존재하는 수분 등의 불순물이 저감된다. |
