Minneinnretning og fremgangsmater for a drive denne

摘要

I en minneinnretning omfattende én eller flere elektrete eller ferroelektriske minneceller, er minnecellene forsynt med multibits lagringskapasitet ved å være fremstilt med en rekke spatialt definerte områder med forskjellige koersivspenninger. I en fremgangsmåte for å skrive data til en minnecelle av denne art benyttes en sekvens av spenningspulser med forskjellige verdier for å oppnå suksessiv skrivning av hvert område med henholdsvis forskjellige polarisasjonsverdier. I en første fremgangsmåte for utlesning fra en minnecelle av denne art benyttes en lignende sekvens av spenningspulser, men i omvendt orden for å muliggjøre en suksessiv utlesning av hvert område. I en annen fremgangsmåte for utlesning påtrykkes minnecellen en lineær spenningsrampe og den resulterende utgangsstrømrespons overvåkes. I en tredje fremgangsmåte for utlesning benyttes en skriveoperasjon for å svitsje alle områder etterfulgt av en utlesningsoperasjon lik enten den første eller den annen fremgangsmåte til utlesning. I en fjerde fremgangsmåte til utlesning benyttes en sekvens av spenningsramper eller spenningspulser med forskjellige verdier og utgangsstrømresponser registreres for å skaffe en entydig signatur for minnecellen baser både på lagrede data og de dynamiske responskarakteristikker.