| 发明名称 | 半导体激光器装置及使用该半导体激光器装置的拾光设备 | ||
| 摘要 | 一种具有用于注射载流子的条带结构的半导体激光器装置，包括：在基底上形成的第一导电型包覆层、有源层、和第二导电型包覆层。所述条带宽度沿谐振器方向变化，L1和Lt之间的差值在200微米以内，并且Rf＜Rr，其中L1为从前端面到所述条带宽度最小处之间的距离，L为所述半导体激光器装置的谐振器的长度，Rf为所述前端面的反射率，Rr为后端面的反射率，Lt为由式L×Log<SUB>e</SUB>(Rf)/Log<SUB>e</SUB>(Rf×Rr)所表示的距离。在大功率工作时抑制光发射效率的饱和，允许稳定的基本横模振荡。 | ||
| 申请公布号 | CN1327582C | 申请公布日期 | 2007.07.18 |
| 申请号 | CN200510005656.3 | 申请日期 | 2005.01.24 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 高山徹 |
| 分类号 | H01S5/22(2006.01);G11B7/125(2006.01) | 主分类号 | H01S5/22(2006.01) |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 王英 |
| 主权项 | 1、一种具有用于注入载流子的条带结构的半导体激光器装置，包括：第一导电型包覆层；有源层；以及第二导电型包覆层；其中在基底上形成所述第一导电型包覆层、所述有源层和第二导电型包覆层，并且所述条带宽度沿谐振器方向变化，Ll和Lt之间的差值在200微米以内，并且Rf＜Rr，其中Ll为从前端面到所述条带宽度最小处之间的距离，L为所述半导体激光器装置的谐振器的长度，Rf为所述前端面的反射率，Rr为后端面的反射率，并且Lt为由L×Loge(Rf)/Loge(Rf×Rr)所表示的距离。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||