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发明名称 Mehrschichtige Epitaxie für eine Siliziumdiode
摘要
申请公布号 DE69425423(T2) 申请公布日期 2001.05.23
申请号 DE19946025423T 申请日期 1994.03.10
申请人 GENERAL SEMICONDUCTOR, INC. 发明人 CHAN, JOSEPH;LATERZA, LAWRENCE;SALIH, ALI;HIRTZ, REINHOLD;ZAKALUK, GREGORY;GARBIS, DENNIS
分类号 H01L21/205;H01L21/329;H01L29/861;H01L29/866;(IPC1-7):H01L29/861 主分类号 H01L21/205
代理机构 代理人
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