发明名称 |
导电性糊料和芯片焊接方法 |
摘要 |
本发明提供一种导电性糊料以及使用其的芯片焊接方法,所述导电性糊料通过使用具有由XRD分析所规定的规定结晶变化特性的银粒子,从而能够容易地控制导电性糊料中的银粒子的烧结性,并且在烧结处理后能够稳定地得到优异的导电性以及导热性。一种含有作为烧结性导电材料的体积平均粒径为0.1~30μm的银粒子和用于制成糊料状的分散介质的导电性糊料等,将银粒子烧结前的利用XRD分析得到的X射线衍射图谱中的2θ=38°±0.2°的峰的积分强度设为S1,将银粒子烧结处理后(250℃,60分钟)的利用XRD分析得到的X射线衍射图谱中的2θ=38°±0.2°的峰的积分强度设为S2时,使S2/S1的值为0.2~0.8范围内的值。 |
申请公布号 |
CN104246910B |
申请公布日期 |
2016.06.08 |
申请号 |
CN201380019429.9 |
申请日期 |
2013.08.20 |
申请人 |
化研科技株式会社 |
发明人 |
堀薰夫;古井裕彦;藤田晶 |
分类号 |
H01B1/22(2006.01)I;H01B1/00(2006.01)I;H01L21/52(2006.01)I |
主分类号 |
H01B1/22(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
苗堃;金世煜 |
主权项 |
一种导电性糊料,其特征在于,是含有作为烧结性导电材料的体积平均粒径为0.1~30μm的中空银粒子和用于制成糊料状的分散介质的导电性糊料,将所述中空银粒子烧结处理前的利用XRD分析得到的X射线衍射图谱中的2θ=38°±0.2°的峰的积分强度设为S1,将所述中空银粒子以250℃、60分钟烧结处理后的利用XRD分析得到的X射线衍射图谱中的2θ=38°±0.2°的峰的积分强度设为S2时,S2/S1的值为0.2~0.8范围内的值。 |
地址 |
日本大阪府 |