发明名称 导电性糊料和芯片焊接方法
摘要 本发明提供一种导电性糊料以及使用其的芯片焊接方法,所述导电性糊料通过使用具有由XRD分析所规定的规定结晶变化特性的银粒子,从而能够容易地控制导电性糊料中的银粒子的烧结性,并且在烧结处理后能够稳定地得到优异的导电性以及导热性。一种含有作为烧结性导电材料的体积平均粒径为0.1~30μm的银粒子和用于制成糊料状的分散介质的导电性糊料等,将银粒子烧结前的利用XRD分析得到的X射线衍射图谱中的2θ=38°±0.2°的峰的积分强度设为S1,将银粒子烧结处理后(250℃,60分钟)的利用XRD分析得到的X射线衍射图谱中的2θ=38°±0.2°的峰的积分强度设为S2时,使S2/S1的值为0.2~0.8范围内的值。
申请公布号 CN104246910B 申请公布日期 2016.06.08
申请号 CN201380019429.9 申请日期 2013.08.20
申请人 化研科技株式会社 发明人 堀薰夫;古井裕彦;藤田晶
分类号 H01B1/22(2006.01)I;H01B1/00(2006.01)I;H01L21/52(2006.01)I 主分类号 H01B1/22(2006.01)I
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人 苗堃;金世煜
主权项 一种导电性糊料,其特征在于,是含有作为烧结性导电材料的体积平均粒径为0.1~30μm的中空银粒子和用于制成糊料状的分散介质的导电性糊料,将所述中空银粒子烧结处理前的利用XRD分析得到的X射线衍射图谱中的2θ=38°±0.2°的峰的积分强度设为S1,将所述中空银粒子以250℃、60分钟烧结处理后的利用XRD分析得到的X射线衍射图谱中的2θ=38°±0.2°的峰的积分强度设为S2时,S2/S1的值为0.2~0.8范围内的值。
地址 日本大阪府